由（2）式可知：
在电流断续模式时，当电压和频率固定的情况下，输出功 率和变压器的初级电感成反比。即要增加功率就要减小初 级绕组的电感量。反激式开关变压器的特殊性：当开关管 导通时变压器相当于仅有初级绕组的一个带磁芯的电感器 ，当这个电感器小到一定值时就不可太小了，当小至和分 布电感值差不多时，这样变压器的参数就没有一致性，工 作稳定性差，可能分布参数的变化都会使整个电感值变化 一少半，电路的可靠性就无从谈起。初级电感值至少应是 分布电感的10倍以上。
（3）同样道理，磁芯的气隙也不可选的太少，太小的话，磁 芯稍微的变动（如热胀冷缩）对气隙来说都显得占的比例 很大，这样的变压器就无一致性可言，更无法批量生产。 六、反激式变换器的输出滤波电容比起其它拓扑形式的电路 所受的冲击更大,它的选择好坏对整个电源的性能及寿命 有举足轻重的作用。选择时，一般是按纹波电压要求初 选电容值，用电容的额定纹波电流确定电容值，这样比 较安全稳妥。当然，耐压值和温度等级也要足够。 七、降低损耗，遏制温升，提高效率，延长寿命 开关电源内部的损耗主要分四个方面： （1）开关损耗 如：功率开关，驱动；
（2）导通损耗 如：输出整流器，电解电容中电阻损耗； （3）附加损耗 如：控制IC，反馈电路，启动电路，驱动电 路；
（4）电阻损耗 如：预加负载等；
在反激式开关电源中，功率开关和驱动以及输出整流部
分占损耗的90％多，磁性元件占5％，其它占5％； 损耗 直接影响效率，更影响电源的稳定性和工作寿命。损耗 都以发热而表现出来，晶体管和电容和磁性元件都对温 度很敏感；下面看一下温度的影响：
（1）温度每升高10℃，电解电容的寿命就会减半
（2）在高温和反向电压接近额定值时，肖特基二极管的漏电 很严重，就像阴阳极通路一样；
（3）通用磁性材料，从25℃到100℃饱和磁感应强度下降30％ 左右；在这里，磁性材料的损耗虽然说占比例很小但是它 对整个开关电源的影响非常大。比如在正常工作时，设计 的最大磁通密度偏大，由于温升的原因将使饱和磁感应强 度下降，再加上反馈回路的延迟效应而使导通时间加长， 极易使磁芯饱和，瞬间开关管损坏。在此设计时，最好保 证铜耗接近于磁耗，初级绕组的铜耗接近于次级绕组的铜 耗以达到最优化的设计防止磁芯过渡温升。
（4）MOSFET管，每升高25℃，栅极阀值电压下降5％；MOSFET 管的最大节点温度时150℃，节点温度的理想值为105℃， 最高不要超过125℃；MOSFET管,Rds随温度的升高而增大. （5）双极型晶体管，随温度的升高，Vce而减小，在环境温度 较高或接近最高结温时，晶体管的实际最高耐压会有所下 降，并且漏电流会更进一步增加，很易造成热损耗。所以 ，在设计时，尽可能降低元件本身损耗而造成的温升，也 要注意远离热源，不因外界原因而造成温升。更要优化设 计减小损耗，提高效率，延长元器件及整个电源的工作寿 命。
反激式开关电源设计的思考五－常用公式的理解
字体大小：大 | 中 | 小 2007-03-28 11:57 - 阅读：3136 - 评论：12 反激式开关电源设计的思考五 －常用公式的理解 王佰营 徐丽红
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在反激式开关电源设计之前，我们必须对要用到的公式有所了解，这样不 至于造成不管公式适用条件如何，拿来就用，以致看似合理实则差之远矣。 下面将在反激式开关电源设计中常用的公式分析如下： 再讲电源设计用公式前先看一看一些基本的知识。 一、基本知识 1.磁场的产生：
磁场是由运动电荷产生的，变压器磁芯中的磁场是由绕组中的传导电流产生 ，磁铁的磁场是由“分子电流”产生。 2.右手定则
右手定则用于判断通电螺线管的磁极（N极／S极，或者说磁力线的方向）， 用右手握住螺线管，弯曲的四指沿电流回绕方向将拇指伸直，这时拇指指向 螺线管的N极或者磁力线的方向。 3.磁感应强度B
磁场是由运动电荷产生的，同时，运动的电荷在磁场中又会受到力的作用。 由此，人们通过在磁场中运动的电荷所受磁场力的大小来反映磁场的强弱； 让不同电量（q>0）的电荷，在垂直磁场的方向以不同的速度运动，该电荷 就会受力，虽然电荷在各点受磁场力的大小不同，但是力与电荷量以及速度
的比值在同一点却是相同的，唯一的，这个值就反映了该点磁场的强弱。因 此：
B ＝ F ／ q.v （1）
该式的物理意义为：磁场中某点的磁感应强度B的大小，在数值上等于单位 正电荷，以单位速度沿垂直磁场方向运动时，所受力的大小。磁感应强度的 单位：
4.磁通量φ
磁场不仅有强弱还有方向，用磁力线能很好的表示磁感应强度的方向，磁力 线是一些围绕电流的闭合线，没有起点也没有终点的曲线。把垂直穿过一个 曲面的磁感应线的条数称为穿过该面的磁通量。用φ表示。也形象的将磁感 应强度称为磁通密度，两者关系如下： φ＝B·S （2）
磁通的单位：1T·m2 = 1Wb（韦伯） 5.磁场强度H
既然点电荷之间的相互作用服从库仑定律，那么，库仑认为点磁荷也应有类 似的定律。
此式为磁的库仑定律；
既然电场强弱可通过点电荷去测量，那么磁场的强弱也就可用点磁荷来测量 ，类似的，把点磁荷放在磁场中，根据其受力的大小就可反映该点磁场的强 弱，因此就引入了磁场强度的物理量H H ＝ F／qm0 (4)
该式中F是试探点磁荷qm0在磁场某点所受的力，该式的物理意义：磁场中某
点的磁场强度H的大小在数值上等于单位磁荷在该点所受到的磁场力的大小 。
6.安培环路定理
磁感应线是套连在闭合载流回路上的闭合线，若取磁感应强度沿磁感应线的 环路积分，则磁感应强度沿任何闭合环路L的线积分，等于穿过这个环路所 有电流的代数和的μ0倍。
∮(L)B·dl =μ0∑I （5） 在有磁介质时，安培环路定律表示为： ∮LB·dl =μ0（∑I ＋Is） （6） (6)式中：Is－为磁化电流 I －传导电流
介质内任何曲面S的磁化电流强度 Is为 Is ＝ ∮LM dl （7）
（7）式中，M为磁化强度，在数值上等于磁化面电流密度 代（7）式入（6）式得： ∮LB·dl =μ0（∑I ＋∮LM dl） 或：∮L（ －M）·dl =∑I 令：H ＝ －M
则：∮LH·dl =∑I （8） （8）式表示：
磁场强度沿任一闭合路径的线积分只与传导电流有关。也说明传导电流确定 以后，不论磁场中放进什么样的磁介质，也不论磁介质放在何处，磁场强度 的线积分都只与传导电流有关。
因而，引入磁场强度H这个物理量后，就可绕过磁介质磁化，磁化电流等不 方便测量、处理等一系列问题，而可方便的从宏观上处理磁介质的存在时的 磁场问题。
