B. 约50db
C. 约100db A.三价元素 C.五价元素 A.-15V B.-9V C.-6V D.+9V
3.某放大电路中的晶体三极管，测得其管脚电位为：①脚U1=0V，②脚U2=-0.3V，③脚U3=8V，则可判定该管是（ ） A.Ge管①为e极 C.Si管③为c极 （ ） A.20V C.40V A.4.5V C.12V
B.28.28V D.56.56V B.9V D.20V
B.Ge管②为e极 D.Ge管③为e极
D. 无穷大
B.四价元素 D.六价元素
1.要得到N型杂质半导体，在本征半导体硅或锗的晶体中应掺入少量的（ ）
2.理想二极管构成的电路如题2图所示，其输出电压u0为（ ）
9.单相桥式整流电路中，变压器次级电压为20V（有效值），则每个整流二极管所承受的最大反向电压为
10.单相桥式整流电容滤波电路中，变压器次级电压为10V（有效值），则滤波后的直流输出电压为（ ）
12.函数F（ABCD）=AD+BC+CD的最小项表达式为（ ） A.F=C.F=
?(1,2,3,6,9,10,14) ?(4,5,7)
B.F=
?(0,4,5,8,9,11,12,13,15) ?(1,2,3,6,7,10,14)
D. F=
7
13.已知函数F（A，B，C,D）=A.F=BD+AD+BCD
?(0,2,3,4,6,8,10,11)其最简与或式为（ ）
B.F=AD+BC+ABD
C.F=BD+BC+ABD D.F=BD+AD+BC 1．PN结加反向偏置时，其PN结的厚度将（ ） A．变宽 C．不变 A．-10V B．-6V C．-4V D．0V
3．NPN型三级管，处在饱和状态时是（ ） A．UBE<0,UBC<0 B．UBE>0,UBC>0 C．UBE>0,UBC<0 D．UBE<0,UBC>0
4．某放大状态的三极管，测得各管脚电位为：①脚电位U1=2.3V，②脚电位U2=3V，③脚电位U3=-9V，
则可判定（ ） A．Ge管①为e C．Si管①为e A．电流串联 C．电压串联
（ ） A．24V B．-24V C．18V D．-18V
11．逻辑函数F（A，B，C）=ABC?AC?BC的最小项表达式为（ ） A．F=∑（0，2，4，6） C．F=∑（0，3，5，7）
B．F=∑（1，3，5，7） D．F=∑（1，3，6，7） B．Si管③为e D．Si管②为e B．电流并联 D．电压并联 B．变窄 D．不能确定
2．理想二极管构成的电路如题2图，其输出电压u0为（ ）
6．若要求放大电路输入电阻高，且稳定输出电压，在放大电路中应引入的负反馈类型为（ ）
9．桥式整流电容滤波电路如题9图所示，已知变压器次级电压有效值U2=20V，则输出直流电压U0为
12．已知逻辑函数F（A，B，C，D）=ABC?AB?AD?C?BD，其最简与或式为（ ） A．F=C+CD?BD C．F=D+CD?BD
8
B．F=C+D+B D．F=C+D+BD
1.PN结加正偏，其耗尽层的厚度将（ ） A.变宽 C.不变
A.V1导通V2截止U0=0 B.V1导通V2截止U0=6V C.V1截止V2导通U0=8V D.V1截止V2导通U0=2V
3.某电路中的三极管符号如题3图所示，测得其管脚电位标在图上，则该管是（ ） A.放大状态 B.截止状态 C.饱和状态 D.状态不能确定
6．若要求放大电路输入电阻低，且稳定输出电压，放大电路中应引入的负反馈类型为
（ ）
A.电流串联 C.电压串联 （ ） A.+12V B.-12V C.+14.1V D.-14.1V
12.已知逻辑函数F（A，B，C，D）=AB?AC?BC?CD，其最简与或式为（ ） A.F?D?CD?ABCD C.F=C+D+AB
1．N型半导体中少数载流子是（ ） A．正离子 C．空穴 A．－16V B．－8V C．+8V D．+16V
3．半导体三极管处在饱和状态时是（ ） A．e结反偏c结反偏 C．e结反偏c结正偏 A．放大状态
B．－e结正偏c结正偏 D．e结正偏c结反偏 B．负离子 D．自由电子
B.F＝C＋CD＋ABCD D.F=C＋D＋AB B.电流并联 D.电压并联 B.变窄 D.不能确定
2.理想二极管构成的电路如题2图，则有（ ）
9.桥式整流电容滤波电路如题9图所示。已知变压器次级电压有效值为U2=10V，则输出直流电压U0为
2．理想二极管构成的电路如题2图所示，则输出电压U0为（ ）
4．测得某电路中的半导体三极管(锗管)各管脚电位如题4图所示，则该管处在（ ）
9
B．饱和状态 C．截止状态 D．不能确定的状态
7．为使放大电路的输入电阻低，在放大电路中应引入的反馈是交流（ ） A．电压负反馈 B．电流负反馈 C．并联负反馈 D．串联负反馈
10．下述正弦波振荡电路中，适合产生低频信号的是（ ）
A．RC桥式振荡电路 B．变压器反馈式振荡电路 C．电感三点式振荡电路
D．电容三点式振荡电路
11．逻辑函数F=AC?BC的最小项表达式为（ ） A．F(ABC)=∑m(1，3，6，7) B．F(ABC)=∑m(2，3，6，7) C．F(ABC)=∑m(1，2，6，7)
D．F(ABC)=∑m(1，4，5，6)
12．逻辑函数F(A，B，C)=∑m(1，3，4，6)的最简与或表达式为（ ） A．F=AC?AC B．F=AB?AB C．F=AC?AC
D．F=BC?BC
13．TTL型门电路组成的逻辑电路如题13图所示，其输出函数F与A，B的逻辑关系式为A．F=A+B B．F=A+B C．F=A+B D．F=A+B
1．P型半导体中多数载流子是（ ） A．自由电子 B．空穴 C．负离子
D．正离子
2. 理想二极管构成的电路如题2图所示，则输出电压U0为（ ） A．-10V B．-6V C．-4V
D．+4V
3. 半导体三极管处在放大状态时是（ ） A．C结反偏e结反偏 B．C结正偏e结正偏 C．C结正偏e结反偏 D．C结反偏e结正偏
4. 测得某电路中半导体三极管各管脚的电位如题4图所示，则该管是处在（ ）
A．放大状态
B．饱和状态
10
）
（
C．截止状态 D．不确定状态
7. 为使输入电阻提高，在放大电路中应引入交流（ ） A．电压负反馈 B．电流负反馈 C．并联负反馈 D．串联负反馈
8. 下述放大电路中低频特性最好的是（ ） A．阻容耦合电路 B．变压器耦合电路 C．直接耦合电路
D．OTL电路
10. 正弦波振荡电路起振时的幅度条件是（ ） ????A．|AF|＜1 B．|AF|=1 ????C．|AF|＞1 D．|AF|=0
11. 逻辑函数F=AB+AC的最小项表达式为（ ） A．F（ABC）=∑m(1.3.6.7)
B．F(ABC)=∑m(2.3.6.7)
C．F(ABC)=∑m(1.2.6.7) D．F(ABC)=∑m(1.3.5.6)
12. 逻辑函数F（ABC）=A+AC+BC的最简与或表达式为（ ） A．F=A+C B．F=A+B C．F=A+B
