电子技术练习(2)

2025-04-30

A.(17C)16 B.(16B)16 C.(17B)16 D.(16C)16 6.四变量逻辑函数F(ABCD)的最小项m8为( )

A.ABCD B.ABCD C.ABCD D.ABCD

7.电路如图所示,设灯F亮为逻辑1,灭为逻辑0,开关A、B的逻辑状态如图中所示,则灯F与开关A、

B的逻辑关系为( ) A.F=A+B B.F=AB+AB C.F=AB D.F=AB+AB

11.NPN型三极管工作于饱和状态时,三个电极的电位关系为

( )

A.UB>UC,UB>UE B.UE>UC,UC>UB C.UC>UB>UE D.UE>UB>UC

12.图示电路,若β=100,UBE=0.7伏,则静态基极电流IBQ等于( )

3

A.6μA B.8μA C.9.5μA D.10.5μA

2.理想二极管构成的电路如题2图所示,则( ) A.V截止U0=-10V B.V截止U0=-3V C.V导通U0=-10V D.V导通U0=-6V

3.某电路中晶体三极管的符号如题3图,测得各该管处在( ) A.放大状态 B.饱和状态 C.截止状态 D.状态不能确定

8.要想使振荡电路获得单一频率的正弦波,主要是( ) A.正反馈环节

B.稳幅环节

D.选频网络环节

C.基本放大电路环节 ( ) A.10V

B.

依靠振荡器中的管脚电位标在图上,则

9.在单相桥式整流电路中,变压器次级电压为10V(有效值),则每只整流二极管承受的最大反向电压为

102V

C.102V

D.20V

10.下列数中,最大的数是( ) A.(3D)16 C.(65)8

B.(57)10

D.(111010)2

11.逻辑函数F=AB?CD的反函数为( ) A.F?A?B?(C?D) C.F?A?B?(C?D)

B.F?AB?CD D.F?A?B?C?D

12.逻辑函数F(A、B、C)=m1+m3+m6+m7,其最简与或表达式为( ) A.F=AB+AC

B.F=AB+AC D.F=AB+BC

C.F=AB+BC

4

13.逻辑函数F=AB+AB+AC+ACDEF的最简与或式为( ) A.F=A+AC C.F=A

B.F=A+C D.F=AB

1.要得到P型半导体,可在本征半导体硅或锗中掺少量的( ) A.三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D.六价元素 2.理想二极管构成的电路如题2图,该图是( ) A.V截止U0=-4V B.V导通U0=+4V C.V截止U0=+8V D.V导通U0=+12V

3.NPN型三极管处在放大状态时是( )

A.UBE<0, UBC<0 B.UBE>0, UBC>0 C.UBE>0, UBC<0 D.UBE<0, UBC>0

5.两级放大电路,考虑到级间的相互影响后,|Au1|=100,|Au2|=1000,则两级总的电压放大倍数用分贝表示为( )

A.60dB B.80dB C.100dB D.120dB

8.单相桥式整流电路,变压器次级电压为10V(有效值),则整流后的输出直流电压为( ) A.4.5V B.9V C.10V D.12V

9.单相桥式整流电容滤波电路中,变压器次级电压为20V(有效值),则滤波后的输出直流电压为( ) A.9V B.20V C.24V D.40V

11.逻辑函数F(A、B、C)=AB+C的最小项表达式为( ) A.F=∑(1,3,5) B.F=∑(1,2,3,7) C.F=∑(0,2,4,6) D.F=∑(0,2,4,6,7)

12.已知逻辑函数F(A,B,C)=AB+AC?BC,其最简与或式为( ) A.F=B+AC B.F=A+BC C.F=C+AB D.F=A?BC

1.要得到P型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中,应掺入少量的( ) A.三价元素 C.五价元素 A.-6V B.0V C.+3V

B.四价元素 D.六价元素

2.理想二极管构成的电路如题2图,其输出电压u0为( )

5

D.+9V

3.某锗三极管测得其管脚电位如题3图所示,则可判定该管处在( ) A.放大状态 B.饱和状态 C.截止状态 D.无法确定伏态

9.单相桥式整流电路变压器次级电压为15V(有效值),则每个整流二极管所承受的最大反向电压为( ) A.15V C.30V A.(43)16 C.(86)16

B.21.21V D.42.42V B.(61)16 D.(C2)16

10.十进制数(67)10所对应的十六进制数为( )

11.函数F(A,B,C)=AB+C的最小项表达式为( ) A.F=∑(0,2,4,6,7) C.F=∑(1,3,5)

B.F=AB+AC D.F=∑(0,1,2,3,7)

l2.函数F=AB+ABC+AC+ADE的最简与或式为( ) A.F=A C.F=A+DE

1.半导体三极管处在放大状态时是( ) A.C结正偏e结正偏 B.C结反偏e结反偏 C.C结正偏e结反偏 D.C结反偏e结正偏

2.理想二极管构成的电路如题2图,则输出电压U0为( ) A.-18V B.-3V C.+3V D.+15V

3.某放大状态的三极管,测得其管脚电位为:①脚u1=0V,②脚u2=-0.7V,③脚u3=6V,则可判 定该管为( )

A.NPN型①是e极 B.NPN型③是e极 C.NPN型②是e极 D.NPN型①是c极

5.由NPN型管构成的基本共射放大电路,当输入ui为正弦波时,在示波器上观察输出u0的波形如题5图示,则该电路产生了( ) A.频率失真

B.F=BC+AC D.F=A+ADE

6

B.交越失真 C.饱和失真 D.截止失真

9.单相桥式整流电路变压器次级电压为10V(有效值),则每个整流二极管所承受的最大反向电压为( ) A.10V B.14.14V C.20V D.28.28V

11.函数F(A,B,C)=AB+AC+B的最小项表达式为( ) A.F=Σ(0,1,4) B.F=Σ(1,3,4,7) C.F=Σ(0,2,3,5,6,7) D.F=Σ(0,4,5,6,7)

12.已知函数F=AB+AC?BC?BCD,其最简与或式为( ) A.AB+D B.AC?B C.AC?B D.AB+C 4. 理想运算放大器的共模抑制比为( )。 A. 0

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