( 软件安装方法请见“注意事项”第6项) 3．实验第一项，万用表测量。
（1）将万用表接在仪器的电压输出端，将三个长度不等的蓝色长方体按图示顺序依次放入载物托上，用激光穿射蓝色长方体平滑面，每穿射一次从万用表上读取一次电压值，并将数据填写到相应的文本框中。 （2）用游标卡尺测量三个蓝色长方体的长度，将其输入相应的文本框。根据Lambert定律自行推导μ值并填入文本框。
（3）填写实验报告，并用计算机验证计算结果。如有错误，按计算机提示进行更正。本项实验结束返回主窗体。 4．实验第二项，自动测量。
（1）将三个长度不等的蓝色长方体按图示要求放入载物托上，用激光穿射蓝色长方体平滑面，每穿射一次用计算机进行采集电压值，并将数据自动保存到相应的文本框中。
（2）用游标卡尺测量三个蓝色长方体的长度，输入相应的文本框，点“运算”，由计算机给出μ值，进行校验数据，如有错误请重新采集数据。 本项实验结束返回主窗体。 5． 实验第三项，灰度的认识。
图示为默认的灰度，使用者可自行在文本框中输入0-255的整数，即可出现相应的灰度，按住鼠标左键可任意移动灰度框，可以比较两个相近的灰度是否能被人眼区分。回答问题并写实验报告，本项实验结束返回主窗体。 6． 实验第四项，迭代法测CT值。(鼠标移到每步时会弹出说明对话框)
（1） 将四方块放置在载物托上，按图示的四条光路进行数据采集，
第五次不穿过任何物体进行采集，由计算机读入数据。
（2） 点选“自动计算μ值”，由计算机根据前一步采集的数据计算四
种介质的μ值。
（3） 点选“自动计算CT值”，将四种介质μ值转化为相应的CT值。 （4） 前几步准确无误后即可重建四方块的灰度图象。按要求回答问
题并填写实验报告，本项实验结束返回主窗体。
7． 实验第五项，窗宽窗位的认识。
（1）先看窗宽窗位说明，将前次实验的A，B，C，D四种介质的CT
值输入文本框，再次重建图象。
（2）右图为人体各组织的CT值分布图，调节左侧的窗宽滚动条或窗位滚动条可以观察重建图象的灰度变化，窗宽和窗位的变化情况也可直接反映在右图中，这样可以更加容易理解窗宽和窗位的概念。
（3）本项实验中有临床CT图实例，可根据它来理解窗宽和窗位在识别CT图中的作用。点击“实例说明”进入，此时出现两个界面，上面是“实例说明注解”，下面是名为“ezDICOM”的程序界面。根据提示进行实例操作。
（4）按要求回答问题并填写实验报告，本项实验结束，返回主窗体。 8．实验第六项，16个体素单元的图像重建。
（1）用若干个八面体在载物台上任意摆放某一图形。进行电压校准，分别采集无八面体，一个八面体，两个八面体，三个八面体穿射时的电压值，计算其平均参考电压值。
（2）左上侧为进行22次测量的方位标志图，必须按给出的测量前后顺序对八面体进行22次的电压采集，类似于真正CT对人体进行扫描，采集的电压及穿过的八面体个数分别显示在右上侧的文本框中。
（3）采集完毕后，进行图象重建，如实验过程中操作无误，即可获得正确的重建图象。本项实验结束，返回主窗体。
六．注意事项
1. 开机前应检查仪器是否正常。 2. 开机待机5分钟后再进行实验。
3. 激光照射待测物有一定的反射，反射回来的光束要对准激光器发射中心。 4. 做灰度认识实验前先将显示器的亮度和对比度均调整到50%。 5. 本仪器采集电压范围为0V~5V，由于四方块和八面体的工艺问题，激 光照射后有部分散色光或反色光，导致在实验过程中采集电压过大，此时需要请重新采集数据。
6．软件安装步骤：打开光盘上的“模拟CT实验仪”安装包，点击“模拟CT
实验仪.exe”,按默认路径安装，安装结束后，运行“开始”菜单里的“模拟CT实验”，即可进入软件主界面。
7．多媒体软件安装步骤：打开光盘上的“模拟CT多媒体安装包”，点击“模拟CT多媒体.exe”,按默认路径安装，结束后，将“C:\\Program Files\\模拟
CT多媒体文件” 中的“ 模拟CT”文件夹拷贝在C盘目录下，即可结束安装。
8．实验结束后请退出操作界面后再关闭仪器。
9. 实验中若需要保存实验结果，请点击“保存数据”按钮，当前界面会自
动保存在计算机的E盘目录下，此实验数据可供查阅和打印。
七．附件：
硅光电池基本特性研究
光电池又称光伏电池。光电池的种类较多，如硒光电池，氧化亚铜光电池，硫化铊光电池，锗光电池，硅光电池，砷化镓光电池等。其中硅光电池具有较多的优点，如性能稳定、光谱范围宽、频率特性好、能量转换效率高、结构简单、重量轻、寿命长、价格便宜、使用方便，因而得到广泛应用。硅光电池可以用作光信号探测器（光电传感器），在光电转换、自动控制和计算机输入和输出等现代化科学技术中发挥重要作用。另一方面硅光电池可将太阳能转换成电能，如果把许多硅光电池科学地串联或并联起来，可以建成太阳能发电站，为人类更有效地利用太阳能开辟新道路。 实验原理： 在P型硅片上扩散一层极薄的N型层，形成PN结，再在该硅片的上下两面各制一个电极（其中光照面的电极成“梳状”，并在整个光照面镀上增透膜，利于光的入射。），这样构成了硅光电池，如图一所示。 负极增透膜N型PN结P型正极图一 硅光电池的结构及符号当光照射在硅光电池的光照面上时，若入射光子能量大于硅的能隙时，光子能量将被半导体吸收，产生电子－空穴对。它们在运动中一部分重新复合，其余部分在到达PN结附近时受PN结内电场的作用，空穴向P区迁移，使P区显示正
电性，电子向N区迁移，使N区带负电，因此在PN结上产生了电动势。如果在硅光电池两端连接电阻，回路内就形成电流，这是硅光电池发生光电转换的原理。
硅光电池(以下简称光电池)的简化等效电路如图二所示。
1．在无光照时，光(生)电流Iph?0，光电池可以简化为二极管（图三）。根据半导体理论，流经二极管的电流Id与其两端电压的关系符合以下经验公式 式中?和I0是常数。 Id?I?I0e?V?1?? （1） IdIphIphI+V-图二 光电池简化等效电路图三 光电池等效为二极管2．有光照时，Iph>0，光电池端电压与电流的关系为： I?Id?Iph?I0e?V?1?Iph?? （2） 由（2），可以得到以下结论： ① 当外电路短路时，短路电流Isc??Iph1，光电流全部流向外电路。 Voc?② 当外电路开路时，开路电压
?Iph??1?Isc?ln??1?Voc?ln??1???I???I0??，?0?，即开路电压Voc与短路电流Isc满足对数关系；如果Isc与光通量（或照度）有线性关系，则Voc与光通量就符合对数关系。
由于二极管的分流作用，负载电阻愈大，光电池的输出电流愈小，实验可以证明这时输出电压却愈大，因此要从光电池获取最大功率，负载电阻要取恰当值。
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