1.某个处于放大状态的电路，当输入电压为10mV，输出电压
为6.5V,输入电压为15mV时，输出电压为7V（以上均为直
流电压），它的电压增益为（C ）
a、700
b、650
c、100
d、-100
2.当输入信号频率为f L或f H时，电压增益的幅值约下降为中
频时的（B ）
a、05.
b、0.7
c、0.9
d、1
3.当输入信号频率为fL或fH时, 电压增系下降了( B )。
A、2 dB
B、3dB
C、4dB
D、6dB
4.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接3KΩ
的负载
电阻后输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为（C ）
a、10KΩ
b、2KΩ
c、1 KΩ
d、0.5KΩ
5.用两个A U相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内阻的电压
信号进行放大，测试结果输出电压V OA>V OB，由此可知A比B（ B ）
a、一样
b、差
c、好
d、无法判别
6.用两个放大电路A和B分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时V OA=V OB ，都接入负载R L时，测得V OA a、输入电阻高 b、输入电阻小 c、输出电阻高 d、输出电阻低 理想运放 7.在线性区内，分析理想运放二输入间的电压时可采用（A ） 1 / 1 a、虚短 b、虚断 c、虚地 d、以上均否 8.如图示，运放A为理想器件，则其输出电压V0为（A ） a、0V b、3V c、6V d、9V 9.如图示，运放A为理想器件，则其输出电压V O为（ C ） a、9V b、6V c、0V d、3V 10.设V N、V P和V0分别表示反相输入端、同相输入端和输 出端，则V0与V N、V P分别成（ D ） a、同相、同相 b、反相、反相 c、同相、反相 d、反相、同相 11.若要将幅度为±Um的矩形波转变为三角波，则应选用（ D ） A、反相比例运算电路 B、同相比例运算电路 C、微分运算电路 D、积分运算电路 半导体 12.N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（D ）。 a、电子 b、空穴 c、三价硼元素 d、五价磷元素 13.半导体中有两种载流子，它们分别是（C ） a、电子和受主离子 b、空穴和施主离子 c、电子和空穴 d、受主离子和施主离子 14.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ B ） a、温度 b、杂质浓度 c、掺杂工艺 d、晶体缺陷 1 / 1 15.在室温附近，当温度升高时，杂质半导体中浓度明显增加是（C ） a、载流子 b、多数载流子 c、少数载流子 d、正负离子 16.温度升高后，在纯半导体中，其电子、空穴变化为（ A ） a、自由电子和空穴数目都增多，且增量相同 b、空穴增多，自由电子数目不变 c、自由电子增多，空穴数目不变 d、自由电子和空穴数目都不变 二极管 17.PN结不加外部电压时，PN结中的电流为（B ） a、只从P区流向N区 b、等于零 c、只从N区流向P区 d、无法判别 18.流过二极管的电流一定，而温度升高时，二极管的正向电压（A ） a、减小 b、增大 c、基本不变 d、无法确定 19.当PN结外加正向电压时，耗尽层将（ C ） a、不变 b、变宽 c、变窄 d、无法判别 20.二极管正向电压从0.7V增大5%时，流过的电流增大为（ B ） a、5% b、大于5% c、小于5% d、不确定 21.温度升高时，二极管的反向伏安特性曲线应（ A ） a、上移 b、下移 c、不变 d、以上均有可能 22.利用二极管组成整流电路，是应用二极管的（ D ） a、反向击穿特性 b、正向特性 c、反向特性 d、单向导电性 23.PN结形成后，PN结中含有（ D ） 1 / 1 a、电子 b、空穴 c、电子和空穴 d、杂质离子 24.PN结不加外部电压时，扩散电流与漂移电流应（ A ） a、相等 b、大于 c、小于 d、无法确定 25.稳压管能够稳定电压，它必须工作在（ D ） a、正向状态 b、反向状态 c、单向导电状态 d、反向击穿状态 26.以下四种半导体器件中，为硅稳压管的是（ C ） a、2CZ11 b、2AP6 c、2CW11 d、2CP10 27.在一般电路分析计祘时，常将二极管简化为理想模型、恒压降模型、折线模 型和小信号模型。如图所示符号为（C ）。 A、理想模型 B、恒压降模型 C、折线模型 D、小信号模型 三极管 28.放大电路的静态是指（ A ） a、输入端短路 b、输入端开路 c、交流信号短路 d、交流信号为零 29.三极管能起放大作用的内部条件之一是发射区掺杂浓度（C ） a、低 b、中 c、高 d、以上均可 30.三极管工作在饱和区时，b-e极间，b-c极间分别为（D ） a、反偏，反偏 b、反偏，正偏 c、正偏，反偏 d、正偏，正偏 31.三极管工作在放大区时，b-e极间、b-c极间分别为（ D ） a、正编、正编 b、反编、反编 c、反编、正编 d、正编、反编 32.NPN型和PNP型三极管的区别是（ C ） a由两种不同的材料硅或锗构成b、掺入的杂质不同 1 / 1 c、P区和N区的位置不同 d、以上均否 33.温度升高时，三极管的输出特性曲线将（A ） a、上移 b、下移 c、不变 d、以上均有可能 34.温度升高时，三极管极间反向电流将（ A ） a、增大 b、减小 c、不变 d、无法确定 35.某三极管的极限参数Pc M=150m W，Ic M=100m A，V（BR）CE o=30V， 若它的工作电压Vc E=10V, 则工作电流Ic不得超过（ C ） a、100mA b、50mA c、15mA d、1mA 36.某三极管的极限参数P CM=150mw，I CM=100mA，V（BR）c EO=30V， 若它的工作电压V CE=1V，则工作电流不得超过（ D ） a、1mA b、15 mA c、40 mA d、100 mA 37.某三极管的极限参数P CM=150mw , I CM=100mA , V(BR)CE0=30V , 若工作电流I C=1mA , 则工作电压不得超过（ A ） a、30V b、15V c、10V d、1V 38.用两个Au相同放大电路A和B分别对同一个具有内阻的电 压信号进行放大，测试结果为V o A＞V o B,这是由于( C ) a、输出电阻小 b、输出电阻高 c、输入电阻高 d、输入电阻小 39.三极管输入电阻r be与静态电流I E的大小有关，因而r be是( C ) a、交、直流电阻 b、直流电阻 c、交流电阻 d、以上均否 40.如图示Us2=0，从集电极输出，则该电路属于（ C ） a、无法确定 b、共集 c、其基 d、共发 41.检修某台无使用说明书的电子设备时，测得三极管各电极对地电压数据为 1 / 1 V B=-0.2V, V C=-5V, V E=0, 则该三极管为（ B ） a、NPN 型,锗管 b、PNP型,锗管 c、NPN型,硅管 d、PNP型,硅管 42.某放大电路，I A=1.5mA，I B=0.03mA, Ic=-1.53 mA ，则A，B，C中极性分别 是（ D ） a、（e、 b、c）b、（b、 c、e）c、（c、e、b） d、（c、b、e） 43.有二只半导体三极管，A管子的β=200，Ic E o=240μA，B管子的 β=100，Ic E o =20μA其他参数一样，则管子的好坏为（C ） a、均一样 b、A管好 c、B管好 d、无法判别 44.三极管能起放大作用的内部条件之一是基区宽度（ A ） a、窄 b、中 c、宽 d、以上均可 45.在单管共射极电路中，换上β减小的管子，V CEQ将（ C ） a、不变 b、减小 c、增大 d、无法确定 46.三极管放大电路的三种组态（ D ） a、都有电压放大 b、都有电流放大 c、只有共射极才有功率放大 d、都有功率放大 47.如图示，U S1=0，U S2≠0从集电极输出，则该电路属于（） a共射b、共基c、共集d、无法判别 48.如图所示，U S1=0，U S2≠0，从发射极输出，则该电路属于（ C ） a、共射 b、共基 c、共集 d、无法判别 49.检修某台无使用说明书的电子设备时，V B=2.73V，V C=2.3V, V E=2V，则该三管类型为（ D ） a、NPN型，锗管 b、PNP型，硅管 c、PNP型锗管 d、NPN型硅管 1 / 1 50.某放大电路，I A=-1.8mA ,I B=-0.06mA ,Ic=1.86mA，则A、B、C中 极性分别为（A ） a、（c、 b、e ）b、（b、e、c ） c、（c、e、b） d、（ e、c、b ） 51.三极管能起放大作用的内部条件之一是集电结面积比发射结面积（ C ） a、小 b、一样 c、大 d、无法确定 52.三极管工作在放大区时，流过发射结电流和流过集电结的 电流主要是（ D ） a、均为扩散电流 b、均为漂移电流 c、漂移电流、扩散电流 d、扩散电流、漂移电流 53.温度升高时，V BE随温度上升而发生（ A ） a、减小 b、增大 c、不变 d、无法确定
