单相桥式全控整流电路课程设计(4)

2025-11-14

一般与电力半导体体器件串联连接,在小容量装置中也可串接于阀侧交流母线或直流母线中。

3、快熔的It值应小于被保护器件的允许It值。

4、为保证熔体在正常过载情况下不熔化,应考虑其时间电流特性。 快熔对器件的保护方式分为全保护和短保护两种。全保护是指无论过载还是短路均由快熔进行保护,此方式只适用于小功率装置或器件使用裕量较大的场合。短路保护方式是指快熔只要短路电流较大的区域内起保护作用,此方式需与其他过电流保护措施相配合。

熔断器是最简单的过电流保护元件,但最普通的熔断器由于熔断特性不合适,很可能在晶闸管烧坏后熔断器还没有熔断,快速熔断器有较好的快速熔断特性,一旦发生过电流可及时熔断起到保护作用。最好的办法是晶闸管元件上直接串快熔,因流过快熔电流和晶闸管的电流相同,所以对元件的保护作用最好。

4.2.3电流上升率、电压上升率的抑制保护

1电流上升率di/dt的抑制

晶闸管初开通时电流集中在靠近门极的阴极表面较小的区域,局部电流密度很大,然后以0.1mm/μs的扩展速度将电流扩展到整个阴极面,若晶闸管开通时电流上升率di/dt过大,会导致PN结击穿,必须限制晶闸管的电流上升率使其在合适的范围内。其有效办法是在晶闸管的阳极回路串联入电感。如下图2.8所示:

图2.8串联电感抑制回路

2电压上升率dv/dt的抑制

加在晶闸管上的正向电压上升率dv/dt也应有所限制,如果dv/dt过大,由于晶闸管结电容的存在而产生较大的位移电流,该电流可以实际上起到触发电流的作用,使晶闸管正向阻断能力下降,严重时引起晶闸管误导通。为抑制dv/dt的作用,可以在晶闸管两端并联R-C阻容吸收回路。

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5 元器件和电路参数计算

5.1晶闸管的基本特性 5.1.1静态特性

静态特性又称伏安特性,指的是器件端电压与电流的关系。这里介绍阳极伏安特性和门极伏安特性。 (1)阳极伏安特性

晶闸管的阳极伏安特性表示晶闸管阳极与阴极之间的电压Uak与阳极电流ia

之间的关系曲线,如图5-1所示。

图5.1 晶闸管阳极伏安特性

①正向阻断高阻区;②负阻区;③正向导通低阻区;④反向阻断高阻区

阳极伏安特性可以划分为两个区域:第Ⅰ象限为正向特性区,第Ⅲ象限为反向特性区。第Ⅰ象限的正向特性又可分为正向阻断状态及正向导通状态。 (2)门极伏安特性

晶闸管的门极与阴极间存在着一个PN结J3,门极伏安特性就是指这个PN结上正向门极电压Ug与门极电流Ig间的关系。由于这个结的伏安特性很分散,无法找到一条典型的代表曲线,只能用一条极限高阻门极特性和一条极限低阻门极特性之间的一片区域来代表所有元件的门极伏安特性,如图5-2阴影区域所示。

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图5.2 晶闸管门极伏安特性

5.1.2动态特性

晶闸管常应用于低频的相控电力电子电路时,有时也在高频电力电子电路中得到应用,如逆变器等。在高频电路应用时,需要严格地考虑晶闸管的开关特性,即开通特性和关断特性。 (1)开通特性

晶闸管由截止转为导通的过程为开通过程。图1-12给出了晶闸管的开关特性。在晶闸管处在正向阻断的条件下突加门极触发电流,由于晶闸管内部正反馈过程及外电路电感的影响,阳极电流的增长需要一定的时间。从突加门极电流时刻到阳极电流上升到稳定值IT的10%所需的时间称为延迟时间td,而阳极电流从10%IT上升到90%IT所需的时间称为上升时间tr,延迟时间与上升时间之和为晶闸管的开通时间 tgt=td+tr,普通晶闸管的延迟时间为0.5~1.5μs,上升时间为0.5~3μs。延迟时间随门极电流的增大而减少,延迟时间和上升时间随阳极电压上升而下降。

图6.7 晶闸管的开关特性

(2)关断特性

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通常采用外加反压的方法将已导通的晶闸管关断。反压可利用电源、负载和辅助换流电路来提供。

要关断已导通的晶闸管,通常给晶闸管加反向阳极电压。晶闸管的关断,就是要使各层区内载流子消失,使元件对正向阳极电压恢复阻断能力。突加反向阳极电压后,由于外电路电感的存在,晶闸管阳极电流的下降会有一个过程,当阳极电流过零,也会出现反向恢复电流,反向电流达最大值IRM后,再朝反方向快

速衰减接近于零,此时晶闸管恢复对反向电压的阻断能力。

5.2晶闸管基本参数

5.2.1晶闸管的主要参数说明

1、额定电压UTn

通常取UDRM和URRM中较小的,再取靠近标准的电压等级作为晶闸管型的额定电压。在选用管子时,额定电压应为正常工作峰值电压的2~3倍,以保证电路的工作安全。

晶闸管的额定电压 UTn??minUDRM,URRM?

UTn =(2~3)UTM

UTM :工作电路中加在管子上的最大瞬时电压 2额定电流IT(AV)

IT(AV) 又称为额定通态平均电流。其定义是在室温40°和规定的冷却条件下,元件在电阻性负载流过正弦半波、导通角不小于170°的电路中,结温不超过额定结温时,所允许的最大通态平均电流值。将此电流按晶闸管标准电流取相近的电流等级即为晶闸管的额定电流。

ITn :额定电流有效值,根据管子的IT(AV) 换算出, IT(AV) 、ITM ITn 三者之间的关系:

ITn?1/2??(Imsin?t)2d(?t)?Im/2?0.5ITM (5-2-1)

0?IT(AV)?1/2??Imsin?td(?t)?Im/??0.318ITM (5-2-2)

0?3维持电流IH

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维持电流是指晶闸管维持导通所必需的最小电流,一般为几十到几百毫安。维持电流与结温有关,结温越高,维持电流越小,晶闸管越难关断。

4掣住电流IL

晶闸管刚从阻断状态转变为导通状态并撤除门极触发信号,此时要维持元件 导通所需的最小阳极电流称为掣住电流。一般掣住电流比维持电流大(2~4)倍。

5通态平均管压降 UT(AV) 。指在规定的工作温度条件下,使晶闸管导通的正 弦波半个周期内阳极与阴极电压的平均值,一般在0.4~1.2V。

6门极触发电流Ig 。在常温下,阳极电压为6V时,使晶闸管能完全导通所用 的门极电流,一般为毫安级。

7断态电压临界上升率du/dt。在额定结温和门极开路的情况下,不会导致 晶闸管从断态到通态转换的最大正向电压上升率。一般为每微秒几十伏。 8通态电流临界上升率di/dt。在规定条件下,晶闸管能承受的最大通态电 流上升率。若晶闸管导通时电流上升太快,则会在晶闸管刚开通时,有很大的电流集中在门极附近的小区域内,从而造成局部过热而损坏晶闸管。

9波形系数:有直流分量的电流波形,其有效值I与平均值Id之比称为该波形的波形系数,用Kf表示。 Kf?I (5-2-3) Id额定状态下, 晶闸管的电流波形系数

Kf?ITnIT(AV)??2?1.57

(5-2-4)

5.2.2晶闸管的选型

带电阻负载时

Ud=311V,a=60度时,由Ud=0.9U2(1+cos60/2)得U2=276.45V 考虑2倍裕量:U2取552,90V

带电感负载时

Ud=311V,a=60度时,由Ud=0.9U2cos60 得U2=559.8V 考虑2倍裕量:U2=1119.6V

所以在本次设计实验中我选用4个KP10-3的晶闸管。

5.2.3变压器的选取

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