表1中.寄存器映射
REGISTER
Fields
RegisterAddress0x62
CDC4CDC5CDC6CDC7CDC8CDC9CDC10CDC11CDCPROX
CDT1CDT3CDT5CDT7CDT9CDT11
CDT0CDT2CDT4CDT6CDT8CDT10CDTPROX
CTL011CTL111DAT11DIR11EN11SET11CLR11TOG11
AFES
SCTS
USLLSLTL
CTL010CTL110DAT10DIR10EN10SET10CLR10TOG10
CTL09CTL19DAT9DIR9EN9SET9CLR9TOG9
RETRY
CTL08CTL18DAT8DIR8EN8SET8CLR8TOG8
CTL07CTL17DAT7DIR7EN7SET77CLR7TOG7
BVA
OORIECTL06CTL16DAT6DIR6EN6SET6CLR6TOG6
CTL05CTL15DAT5DIR5EN5SET5CLR5TOG5AREARFIE
CTL04CTL14DAT4DIR4EN4SET4CLR4TOG4ACEACFIE
0x630x640x650x660x670x680x690x6A0x6B0x6C0x6D0x6E0x6F0x700x710x720x730x7430x750x760x770x780x790x7A0x7B0x7C0x7D0x7E0x7F
InitialValue0x000x000x000x000x000x000x000x000x000x000x000x000x000x000x000x000x000x000x000x000x000x000x000x000x000x000x000x000x000x00
0x00RegisterAddress + 1AutoIncrementAddress
ELE3 Electrode CurrentELE4 Electrode CurrentELE5 Electrode CurrentELE6 Electrode CurrentELE7 Electrode CurrentELE8 Electrode CurrentELE9 Electrode CurrentELE10 Electrode CurrentELE11 Electrode CurrentELEPROX Electrode CurrentELE0, ELE1 Charge TimeELE2, ELE3 Charge TimeELE4, ELE5 Charge TimeELE6, ELE7 Charge TimeELE8, ELE9 Charge TimeELE10, ELE11 Charge TimeELEPROX Charge TimeGPIO Control Register 0GPIO Control Register 1GPIO Data RegisterGPIO Direction RegisterGPIO Enable RegisterGPIO Data Set RegisterGPIO Data Clear RegisterGPIO Data Toggle RegisterAUTO-CONFIG Control Register 0AUTO-CONFIG Control Register 1AUTO-CONFIG USL RegisterAUTO-CONFIG LSL RegisterAUTO-CONFIG Target Level Register
CDC3
MPR1216
传感器
飞思卡尔半导体（FreescaleSemiconductor）
电气特性绝对最大额定值绝对最大额定值为应力额定值只,功能操作的最大值不能保证.应力超出了中指定的限制表2可能会影响器件的可靠性或造成永久性损坏设备.关于功能操作条件,请参阅本节中的其余的表.该器件包含保护电路,防止损坏,由于高静电压或电场,但是,它表示,正常的预防措施,以避免任何电压高于最大额定电压,这个高阻抗电路的应用.表2中.绝对最大额定值 - 电压（相对于V等级电源电压电源电压输入电压符号VDDVREGVINTOiGPIOiGPIOTSSS)值-0.3到+3.6-0.3至+2.75VSS- 0.3到VDD单位VV+ 0.3V°C毫安毫安°CSCL,SDA,IRQ工作温度范围GPIO每引脚的电流源每个引脚的GPIO灌电流存储温度范围-40到+85121.2-40到+125ESD和latch-up保护特性正常处理,应采用预防措施,以避免接触静电放电.资格进行测试,以确保这些设备能够承受的静态到合理的水平,而不受到任何永久性的损伤.在设备的资格进行人体模型（HBM）,机器模型（MM）和电荷设备模型（CDM）ESD应力.被定义为失败,如果暴露于ESD脉冲后,设备不再满足设备规格的设备.完成DC参数和功能测试是按照适用的设备规格在室温下进行,其次是热的温度,除非另有规定的设备规范.表3中. ESD和latch-up测试条件等级人体模型（HBM）机器模型（MM）充电装置模型（CDM）闭锁电流在TA符号VESDVESDVESD值±2000±200±500±100单位VVV毫安= 85°CILATCHMPR121传感器飞思卡尔半导体（Freescale Semiconductor）7直流特性
本节包括对电源的要求和I / O引脚特性的信息.表4中. DC特性
（典型工作电路,
参数
高电源电压低电源电压平均供电电流平均供电电流平均供电电流平均供电电流平均供电电流平均供电电流平均供电电流平均供电电流测量电源电流空闲模式电流输入漏电流ELE_输入电容ELE_输入高电压SDA,SCL输入低电压SDA,SCL输入漏电流SDA,SCL输入电容SDA,SCL输出低电压SDA,IRQ
输出高电压
ELE4 - ELE11（GPIO模式中）
VOLVOHGPIO
IOL= 6mA
VDDi= 2.7 V到3.6 V：VDDi= 2.3 V到2.7 V：VDDi= 1.8 V到2.3 V：
输出低电压
ELE4 - ELE11（GPIO模式中）上电复位
VOLGPIOVTLHVTHL
IOLGPIOD
OHGPIOOHGPIOOHGPIO
VDD和V
REG
= 1.8 V, TA= 25°C,除非另有说明.）
条件
最小2.51.71
RUN1模式@ 1 ms采样周期RUN1模式@ 2 ms采样周期RUN1模式@ 4毫秒的采样周期RUN1模式@ 8毫秒采样周期RUN1模式16 ms采样周期RUN1模式32 ms采样周期RUN1模式@ 64 ms采样周期RUN1模式@ 128 ms采样周期峰值测量占空比
停止模式
典型3.31.8393199102542917118130.025
15最大3.62.75
单位VVμAμAμAμAμAμAμAμA毫安μAμApF的V
0.3 x V
0.025
170.5V
= -10 mA的= -6毫安= -3毫安
0.5
1.080.88
1.351.15
1.621.42
VVV
VDD- 0.5
DD
符号VDDVREGIDDIDDIDDIDDIDDIDDIDDIDDIDDIDDIIH, IILVIHVILIIH, IIL
0.7 x V
DD
VμApF的VV
= 1毫安
VDD升起VDD落下
AC特性
表5中. AC特性
（典型工作电路,
参数
8 MHz内部振荡器1 kHz内部振荡器
VDD和V
REG
= 1.8 V, TA= 25°C,除非另有说明.）符号
fHfL
条件
最小7.440.65
典型81
最大8.561.35
单位兆赫千赫
MPR1218
传感器
飞思卡尔半导体（FreescaleSemiconductor）
I2C AC特性
i表6中.
2C AC特性
（典型工作电路,
VDD和V参数
REG
= 1.8 V, TA= 25°C,除非另有说明.）
符号fSCLtBUFtHD, STAtSU, STAtSU, STOtHD, DATtSU, DATtLOWtHIGHtRtFtF.TXtSPCb
1001.30.7
20+0.1C20+0.1C20+0.1C
25
400
bbb
条件最小典型最大400
单位千赫μsμsμsμs
串行时钟频率
停止和启动条件之间的总线空闲时间保持时间（重复）启动条件重复启动条件建立时间停止条件建立时间数据保持时间数据建立时间SCL时钟低期内的SCL时钟高电平时间
SDA和SCL信号的上升时间,接收下降时间的SDA和SCL信号,接收下降时间SDA发射脉冲宽度穗抑制每条总线的容性负载
1.30.60.60.6
0.9
μsNSμsμs
300300250
NSNSNSNSpF的
MPR121
传感器
飞思卡尔半导体（Freescale Semiconductor）
9
包装尺寸
第1页,共3页
MPR12110
传感器
飞思卡尔半导体（FreescaleSemiconductor）
