《模拟电子技术》作业—填空、选择测试
第1章 半导体二极管
一、填空
1. 本征半导体是 ，其载流子是 和 。两种载流子的浓度 。
2. 若本征半导体中掺入某5价杂质元素，可成为 ，其多数载流子为 。若在本
征半导体中掺入某3价杂质元素，可成为 ，其少数载流子为 。在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 ，而少数载流子的浓度则与 有很大关系。漂移电流是 在 作用下形成的。
3. PN结的P区接电源的正极，N区接负极称PN结为————————————。
4. 常温下，硅二极管的开启电压约__ _V, 导通后在较大电流下的正向压降约__ _V；锗二极管的开
启电压约__ _V，导通后在较大电流下的正向压降约__ _V。
5. 二极管的最主要特征是 。与此有关的两个主要参数是 和 。 6. 稳压管是利用了二极管的 特征，而制造的特殊二极管。它工作在 。描述稳压管的主要参数有四种，它们分别是 、 、 、和 。某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将 。 二、选择题
1、在半导体材料中，其正确的说法是（ ） （a）、P型半导体中由于多数载流子为空穴，所以它带正电。 （b）、P型半导体中由于多数载流子为自由电子，所以它带负电。 （c）、N 型半导体中由于多数载流子为空穴，所以它带正电。 （d）、N型半导体中由于多数载流子为自由电子，所以它带负电。 （e）、P型和N型半导体材料本身都不带电。 2、二极管电路如图3－2所示，输出电压U0值为（ ）
（a）0V （b）4V （c）6V （d）12V 3. 有一个稳压二极管，已知UZ=6V，则下列电路中正确的是（ ）
1k?6VDZ1UO12V1k?DZ1UO12V1k?UO12VDZDZ1UOABCD
第2章 晶体管及其基本放大电路
一、填空题：
1、BJT可以分成 和 两种类型，它们工作时有 和 两种载流子参与导电。
2、晶体管工作有三个区域，在放大区时，应保证 和 ；在饱和区，应保证
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和 ；在截止区，应保证 和 。
3、当温度升高时，晶体管的共射输入特性曲线将 ，输出特性曲线将 ，而且输出特性曲线之间的间隔将 。双极性晶体管的β将 ，反向饱和电流ICEO将 ，正向结压降UBE将 。
4、某放大电路的负载开路时的输出电压为4V，接入3K?的负载电阻后输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为 。
5、共发射极接法，____极作为公共电极，用CE表示；共集电极接法，____极作为公共电极，用CC表示；共基极接法，_____作为公共电极，用CB表示。
6、测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。
管号 上 中 下 管型 材料 T1 T2 T3 T4 T5 T6
二、选择题
1、在基本放大电路的三种组态中，输入电阻最大和最小的放大电路分别是 [ ] A.共射放大电路 B.共基放大电路 C.共集放大电路 D.不能确定
2、在基本共射放大电路中，负载电阻RL减小时，输出电阻RO将 [ ] A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定
3、在电路中我们可以利用 [ ] 实现高内阻信号源与低阻负载之间较好的配合。 A 共射电路 B 共基电路 C 共集电路 D 共射-共基电路 4、在基本放大电路的三种组态中，输出电阻最小的是 [ ] A.共射放大电路 B.共基放大电路
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C.共集放大电路 D.不能确定
5、在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出
现了底部削平的失真，这种失真是 [ ]
A.饱和失真 B.截止失真 C.交越失真 D.频率失真
6、以下电路中，可用作电压跟随器的是 [ ]
A．差分放大电路 B．共基电路 C．共射电路 D．共集电路
7、在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了顶部削平的失真，这种失真是 [ ]
B.饱和失真 B.截止失真 C.交越失真 D.频率失真
8对于基本共射放大电路， Rb减小时，输入电阻Ri将 [ ]
A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 9、在基本共射放大电路中，信号源内阻RS减小时，输入电阻Ri将 [ ] A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定
10、在三种基本放大电路中，电压增益最小的放大电路是 [ ] A.共射放大电路 B.共基放大电路
C.共集放大电路 D.不能确定 11、在三种基本放大电路中，电流增益最小的放大电路是 [ ] A.共射放大电路 B.共基放大电路 C.共集放大电路 D.不能确定
12、对于基本共射放大电路，试判断某一参数变化时放大电路动态性能的变化情况(a.增大，b.减小，c.不变)，选择正确的答案填入空格。 （1）Rb减小时，输入电阻Ri 。 （2）Rb增大时，输出电阻Ro 。
（3）信号源内阻Rs增大时，输入电阻Ri 。 （4）信号源内阻Rs减小时，电压放大倍数|Aus|?|（5）负载电阻RL增大时，电压放大倍数|Aus|?|Uo| 。 UsUo| 。 Us（6）负载电阻RL减小时，输出电阻Ro 。
13、有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下测得A的输出电压小。这说明A的 。 C.a.输入电阻大 b.输入电阻小 D.c.输出电阻大 d.输出电阻小
14、若图中的电路出现故障，且经测量得知UE=0、UC=VCC(UE和UC分别为三极管发射极和集电极对地电压)。故障的原因是下列四种之一，请判断是 。 A．Rc开路 B．Rc短路 C．Re短路 D．Rb1开路
VCC?12V20k?C1?Rb12k?RcC2?4k?CeRLUo???5010k?Rb22k?Re?Ui??
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15、图示电路中，用直流电压表测出UCE≈VCC，判断下面列出的故障理由哪些是可能的（画“√”）？
哪些是不可能的（画“×”）？ 1．Rc开路（ ）； 2．Rc短路（ ）；
+VCC 3．Rb1短路（ ）； 4．Rb2短路（ ）； 5．Re开路（ ）； 6．e－b结开路（ ）。
uiRb2C1RcC2 uoRb1ReCeRL第3章 场效应晶体管放大电路
一、填空题
1、场效应管从结构上分为 和 两大类型。
2、结型场效应管工作时栅极和源级间应加 （正压，反压）；场效管在进入预夹断区后漏极电流 (变大，变小，不变，零)。
3、增强型场效应三极管可以采用（分压偏置、自给偏压 ）偏置电路；而耗尽型场效应三极管可以采用（分压偏置、自给偏压 ）偏置电路。
4、N沟道结型场效应管工作在恒流区时，栅极与源极之间应加入 偏置电压；N沟道增强型绝缘栅场效应管的uGS满足 条件，导电沟道产生。
5、．根据器件的工作原理，双极型三极管属于 控制型器件，而场效应属于 控制型器件，表征各自放大能力的参数分别为 、 。
第4章 多级放大电路
一、填空题：
1、多级放大器的信号耦合方式最常用的有 耦合、 耦合、 耦合和 耦合。
2、已知图中VT1、VT2的共射电流放大系数β1＝β2＝50，则复合管的管型为 （NPN，PNP），等效电流放大系数约为 。
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cVT2dbVT1VT2gVT3e( a )
s3、在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的 ，而前级的输出电阻也可以视为后级
( b )的 。
8、幅度失真和相位失真统称为 失真，它属于 失真。
第5章 模拟集成电路
一、填空题
1．差分放大电路是为了 ___ 而设置的，它主要通过 来实现。
2．集成运算放大器是一种采用 耦合方式的多级放大电路；集成运算放大器的输入级大多采用 电路，输出级大多采用 电路。
3．在静态时，差分放大电路两晶体管集电极电流ICQ1 ICQ2；在放大信号且不失真的条件下，ICQ1 ICQ2；在温度增加时ICQ1 ICQ2，且 。
4．差分放大电路的共模抑制比KCMR= ，KCMR越大，表明电路的 。 5．在集成运放中，抑制零漂的主要措施有 、 。
10k?10k?-A+++10k?2V10k?uo-
6. 在上图中,设运放A的开环差模增益Aod=106, 其共模抑制比KCMR=106, 差模输入电阻为无穷大, 则差模输入电压Uid= ,共模输入电压为Uic= ，输出电压 。
7．集成运放是一种采用 耦合方式的放大电路，通用型集成运放的输入级大多采用 电路，其输出级大多采用 电路。
8．集成运算放大器是一种采用 耦合方式的。输入失调电压是 电压。
9．在电压比较器中运算放大器工作在 ，在算术运算电路中，运放工作在 。（线性区，非线性区）。 . 二、选择题
