3.2 电光调制 电光调制的物理基础是电光效应，即某些晶体在外加电场 的作用下，其折射率将发生变化，当光波通过此介质时，其传 输特性就受到影响而改变。 可做成光调制器件、光偏转器件和电光滤波器件。 3.2.1 电光调制的物理基础 光波在介质中的传播规律受到介质折射率分布的制约，而 折射率的分布又与其介电常量(电容率)密切相关。晶体折射率 可用施加电场E的幂级数表示，即 n n0 E bE 2 或写成
n n n0 E bE 2
式中， γE 是一次项，由该项引起的折射率变化，称为线性 电光效应或泡克耳斯(Pockels)效应；由二次项 bE2 引起的折 射率变化，称为二次电光效应或克尔(Kerr )效应。对于大 多数电光晶体材料，一次效应要比二次效应显著，可略去二 次项，故在本章只讨论线性电光效应。
